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压敏电压

压敏电压是指在电流为1mA时测得的压敏电阻器两端的电压降，它没考虑压敏电阻器的尺寸；E0.5是指在电流为0.5mA/cm2下测得的加在压敏电阻器上的电场强度；C值是指在电流为1A（也有的地方说1mA，但差别不大）时压敏电阻器两端的电压降。在n个相同的压敏电阻器串联或并联时C值的变化如下：

a）串联时电流不变，电压增大n倍，这时C值提高n倍，可利用压敏电阻器串联来提高工作电压。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并联时电压不变，电流增大n倍，C值几乎不变，可利用压敏电阻器的并联来提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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合理的配方和工艺是控制材料的化学成分和微观结构，获取优良的宏观物理性能的关键。而ZnO压敏陶瓷实验配方的设计是晶粒能否低压化的关键技术之一，各种元素的添加和量的控制直接影响材料的显微结构和晶界特性，进而决定压敏性能。ZnO本身的电性质对本征缺陷,尤其是对氧空位和锌填隙比较敏感,掺杂在压敏特性的形成过程中，影响烧结时晶粒的生长、液相在冷却时的去润湿作用以及陶瓷的电子缺陷态。到目前为止，人们对低压化及掺杂改性方面己经作了很多研究工作，得到了许多有价值的结果，如Co、Mn

、Sb等可改善非线性指数，Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒绝缘和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界，Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善稳定性，而A1、Ga、F、Cr等可改善大电流非线性指数(形成ZnO晶粒中的施主)，Sb及Si可抑制晶粒生长，Be、Ti、Sn则可促进晶粒生长。

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